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            集成電路(IC)電磁兼容設計培訓班
   入學要求

        學員學習本課程應具備下列基礎知識:
        ◆ 有數字電路設計和硬件描述語言的基礎或自學過相關課程。

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       為了保證培訓效果,增加互動環節,我們堅持小班授課,每期報名人數限5人,多余人員安排到下一期進行。
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上課地點:【上海】:同濟大學(滬西)/新城金郡商務樓(11號線白銀路站) 【深圳分部】:電影大廈(地鐵一號線大劇院站)/深圳大學成教院 【北京分部】:北京中山學院/福鑫大樓 【南京分部】:金港大廈(和燕路) 【武漢分部】:佳源大廈(高新二路) 【成都分部】:領館區1號(中和大道)
最近開課時間(周末班/連續班/晚班)
IC電磁兼容設計班:2019年10月1日
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     ◆課時: 一個月

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   師資團隊
李老師

大規模集成電路設計專家,10多年超大規模電路SOC芯片設計和版圖設計經驗,參與過DSP、GPU、DTV、WIFI、手機芯片、物聯網芯片等芯片的研發。精通CMOS工藝流程、版圖設計和布局布線,精通SOC芯片 設計和版圖設計的各種EDA工具(如:DC/Prime Time/Encounter/Virtuoso/Calibre/Dracula/Assura),具有豐富的SOC芯片設計、驗證、DFT、PD、流片經驗。
熟練掌握版圖設計規則并進行驗證及修改;熟練掌握Unix/Linux操作系統;熟悉CMOS設計規則、物理設計以及芯片的生產流程與封裝。

王老師

資深IC工程師,十幾年集成電路IC設計經驗,精通chip的規劃、數字layout、analog layout和特殊電路layout。先后主持和參與了近三百顆CHIP的設計與版圖Layout工作,含MCU芯片、DSP芯片、LED芯片、視頻芯片、GPU芯片、通信芯片、LCD芯片、網絡芯片、手機芯片等等。
從事過DAC、ADC、RF、OP、PLL、PLA、LNA、ESD、ROM、RAM等多種制程analog&digital的電路IC設計,
熟練掌握1.8V,3.3V,5V,18V,25V,40V等各種高低壓混合電路的IC設計。

張老師

從事數字集成電路設計10余年,精通CMOS工藝流程、版圖設計和布局布線,精通VERILOG,VHDL語言,
擅長芯片前端設計和復雜項目實施的規劃管理,其領導開發的芯片已成功應用于數個國際知名芯片廠商之產品中。豐富的芯片開發經驗,對于現今主流工藝下的同步數字芯片設計技術和流程有良好把握。長期專注于內存控制器等產品的研發,擁有數顆規模超過百萬門的數字芯片成功流片經驗.

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              集成電路(IC)電磁兼容設計培訓班

 

一、集成電路EMC技術概論
1.1、何謂集成電路EMC設計
1.2、集成電路EMC標準與規范
1.3、EMC的效費比-EMC介入時間與成本的關系
1.4、電磁兼容設計與抗電磁騷擾的區別
1.5、集成電路的EMC設計管理

二、IC版圖設計中的EMC/EMI問題
2.1、版圖設計
2.2、版圖舉例: ?I噪聲電流/瞬態負載電流/?I噪聲電壓
2,3、版圖舉例: 差模騷擾/共模騷擾
2.4、版圖舉例: 傳導騷擾耦合
2.5、版圖舉例: 共阻抗騷擾耦合
2.6、版圖舉例: 共電源阻抗耦合
2.7、版圖舉例: 感應騷擾耦合/串擾
2.8、版圖舉例: 輻射騷擾耦合/非閉合載流電路/閉合載流電路
2.9、版圖舉例: 敏感度特性/耦合途徑

三、IC版圖EMC設計
3.1、減小版圖互連線路走線的阻抗
3.2、版圖布局和布線的準則:
1)、低頻布線取最短距離(最小電阻);
2)、高頻布線取最小環路面積(最小阻抗);
3)、布局與不兼容分割
3.3、版圖中電源網格/地線網格,電源總線/信號總線和接地設計準則
3.4、層次化結構和多金屬層設計與應用/金屬距離和密度
1)、層疊設計,層數和大小的選擇
2)、2W原則
3)、傳輸延遲和特性阻抗及阻抗匹配
4)、信號完整性的含義
5)、信號完整性問題
6)、IC設計中的串擾
3.5, ESD電路分析
1)、新ESD技術減小IC的I/O尺寸
2)、深亞微米CMOS芯片ESD保護結構設計
3)、電路實例

四、IC地線設計
4.1、接地系統
4.2、IC中的接地

五、IC中的屏蔽設計
5.1、屏蔽材料與厚度的選擇和屏蔽效能的計算
5.2、IC中的屏蔽

六、濾波設計
6.1、濾波器的種類
6.2、如何選擇濾波器的網絡結構
6.3、如何計算濾波器的插入損耗與頻率特性

七、成功IC版圖舉例
7.1、電源電壓檢測電路版圖設計
7.2、利用CADENCE IC Craftsman自動布局布線
7.3、SuperV芯片的版圖優化
7.4、Ledit版圖設計軟件
7.5、門級ASIC的分層物理設計

八、集成電路設計軟件
8.1、Cadence RF設計Kits(錦囊)
8.2、CADENCE:SiP IC設計主流化
8.4、用于 RFIC設計的Calibre驗證
8.5、LCoS(Liquid-Crystal-On-Silicon) 顯示芯片
8.6、CMOS 器件版圖 DUMMY 圖形

九、掌握IC封裝特性抑制EMI
9.1、DIP
9.2、芯片載體封裝
9.3、方型扁平封裝(Quad Flat Package)
9.4、BGA封裝
9.5、CSP封裝
裸芯片組裝
9.7、倒裝芯片(Flip Chip)(簡稱:FC)
9.8、多芯片模塊
9.9、系統芯片(SOC)

十、集成電路EMC標準與試驗方法
IEC62132標準試驗方法:
IEC62132標準:集成電路電磁抗擾度
通用條件和定義;
輻射抗擾度測量方法--橫電磁波室法(TEM Cell);
傳導抗擾度測量方法--電流注入法(BCI);
傳導抗擾度測量方法--直接激勵注入法(DPI);
傳導抗擾度測量方法--WFC(Workbench Faraday Cage)法。
10.2、IEC61967標準試驗方法:
IEC61967標準:集成電路電磁發射
通用條件和定義;
輻射發射測量方法--橫電磁波室法(TEM Cell)
輻射發射測量方法--表面掃描法;
傳導發射測量方法--1Ω/150Ω直接耦合法;
傳導發射測量方法--WFC (Workbench Faraday Cage)方法;
傳導發射測量方法--探針法

 

 
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